[发明专利]由不一致的镇流源极保护的高功率高温半导体功率器件

摘要

一种形成于半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底包括数个分布于不同区域的晶体管单元，其依据每个不同区域的局部散热具有不同数量的镇流电阻。在一种具体实施方式中，具有较低镇流电阻的晶体管器件形成于边缘区域附近，具有较高镇流电阻的晶体管器件形成于接合衬底区域附近。在本发明的另一个具体实施方式中包含有，具有最高镇流电阻的单元形成于接合线衬垫周围的区域，具有较低电阻的晶体管单元设置于接合线衬垫之下，并连接接合线，由此形成热消散，具有最低镇流电阻的晶体管单元设置于远离接合衬垫的区域。

主权项

1、一种设置于半导体衬底上的半导体功率器件，包括：多个分布于不同区域上方的晶体管单元，其依据每个不同区域的局部热耗散具有不同数量的镇流电阻。