[发明专利]微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法无效
申请号: | 200910007679.6 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101521147A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;平山昌树;后藤哲也;白井泰雪;北野真史;绵贯耕平;松冈孝明;村川惠美 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/24;H01L21/31;C04B35/01 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置,其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中,构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的,在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上,涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO2的组成的平坦化涂布膜后,通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 处理 装置 电介质 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种微波等离子体处理装置,具有传播微波的天线、使在所述天线中传播的微波透过的电介质窗、供给规定气体的气体供给部、以及利用透过所述电介质窗的微波将所述规定气体等离子化并处理被处理体的处理室,其特征在于,所述电介质窗由陶瓷部件制成,所述陶瓷部件的处理室侧的表面覆盖有平滑化涂布绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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