[发明专利]微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法无效
申请号: | 200910007679.6 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101521147A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;平山昌树;后藤哲也;白井泰雪;北野真史;绵贯耕平;松冈孝明;村川惠美 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/24;H01L21/31;C04B35/01 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 等离子体 处理 装置 电介质 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种微波等离子体处理装置,具有传播微波的天线、使在所述天线中传播的微波透过的电介质窗、供给规定气体的气体供给部、以及利用透过所述电介质窗的微波将所述规定气体等离子化并处理被处理体的处理室,其特征在于,
所述电介质窗由陶瓷部件制成,
所述陶瓷部件的处理室侧的表面覆盖有平滑化涂布绝缘膜。
2.一种微波等离子体处理装置,具有传播微波的天线、使在所述天线中传播的微波透过并向处理室供给规定气体的簇射板、将所述规定气体向所述簇射板供给的气体供给部、以及利用透过所述簇射板的微波将所述规定气体等离子化并处理被处理体的处理室,其特征在于,
所述簇射板由陶瓷部件制成,
所述陶瓷部件的处理室侧的表面覆盖有平滑化涂布绝缘膜。
3.根据权利要求1或2所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述平滑化涂布绝缘膜由多个膜构成。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述平滑化涂布绝缘膜包括SiO2膜,该SiO2膜是在所述陶瓷部件的所述表面上进行涂布、烧制而成的。
5.根据权利要求4所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述SiO2膜的厚度大于所述陶瓷部件的所述表面的用峰谷差值表示的粗糙度值。
6.根据权利要求5所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述SiO2膜的厚度是1μm~5μm。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述平滑化涂布绝缘膜的表面被Y2O3膜覆盖。
8.根据权利要求1~6中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述平滑化涂布绝缘膜的至少其与所述等离子体接触的表面是化学计量组成的SiO2。
9.根据权利要求7所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述Y2O3膜的至少其与所述等离子体接触的表面为化学计量组成。
10.根据权利要求1~9中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,向所述处理室供给用于处理所述被处理体的气体的处理气体供给部设置在所述陶瓷部件和所述被处理体之间。
11.根据权利要求1~10中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述陶瓷部件具有多个砖状部件。
12.根据权利要求2~11中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述陶瓷部件具有用于将所述规定气体导入到处理室的多个开口。
13.根据权利要求12所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述陶瓷部件的所述多个开口中分别插有多孔体和具有比所述开口的直径小的一个或多个气体通过孔的部件之中的至少一者。
14.根据权利要求12或13所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述陶瓷部件的所述开口的直径为50μm以下。
15.根据权利要求1~14中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述微波的频率为2.45GHz或915MHz。
16.根据权利要求1~15中任意一项所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述平滑化涂布绝缘膜是对以原子比为O>Si>1/2C的方式含有Si、C和O的SiCO膜进行烧制而得到的。
17.根据权利要求16所述的微波等离子体处理装置,其特征在于,所述SiCO膜是由一种或两种以上的氧化物形成的,该氧化物以SiO的重复单位为主构架,其组成由((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x表示,其中,n=1~3,x≤1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造