[发明专利]加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 200910007443.2 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101510512A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 柴垣真果;土井浩志 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华工程股份有限公司;佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 柴毅敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种加热设备，其包括布置在真空加热容器中的丝极，并包括布置在所述真空加热容器中以相对于形成所述真空加热容器的一个表面的传导加热器而将所述丝极固定在预定位置处的基板。所述基板包括具有碳纤维的板体。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 设备 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1. 一种加热设备，所述加热设备包括丝极和加速电源，所述丝极布置在真空加热容器中并连接至丝极电源以产生热电子，所述加速电源使热电子在所述丝极与传导加热器之间加速，所述传导加热器形成所述真空加热容器的一个表面，并且在所述加热设备中使由所述丝极产生的热电子碰撞所述传导加热器以加热所述传导加热器，所述加热设备包括：布置在所述真空加热容器中以相对于所述传导加热器将所述丝极固定在预定位置处的基板，其中所述基板包括具有碳纤维的板体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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