[发明专利]静电放电元件的形成方法

摘要

一种静电放电元件的形成方法，包括提供基底，于基底上形成彼此相邻且皆包括第一端部分、第二端部分、及之间中段部分的第一与第二鳍状结构，外延成长半导体材料于第一与第二鳍状结构上，成长自第一与第二鳍状结构的半导体材料彼此接合，且自第一与第二鳍状结构的第一端部分连续延伸至第二端部分，对半导体材料的第一端，及第一与第二鳍状结构的第一端部分，注入以形成第一注入区，以及对半导体材料的第二端，及第一与第二鳍状结构的第二端部分，注入以形成第二注入区，P-N结形成于第一端与第二端之间。本发明可导引更多的静电放电电流，可避免部分静电放电元件开启其余元件维持关闭的缺点，工艺完全与现有的鳍式场效应晶体管工艺相容。

主权项

1.一种静电放电元件的形成方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一第一半导体鳍状结构及一第二半导体鳍状结构，该第一与该第二半导体鳍状结构彼此相邻，且皆包括一第一端部分、一第二端部分，及该第一端部分与该第二端部分间的一中段部分；外延成长一半导体材料于该第一与该第二半导体鳍状结构上，其中成长自该第一与该第二半导体鳍状结构的该半导体材料彼此接合，且自该第一与该第二半导体鳍状结构的该第一端部分连续延伸至该第二端部分；对该半导体材料的一第一端，及该第一与该第二半导体鳍状结构的该第一端部分，注入以形成一第一注入区；以及对该半导体材料的一第二端，及该第一与该第二半导体鳍状结构的该第二端部分，注入以形成一第二注入区，其中一P-N结形成于该半导体材料的该第一端与该第二端之间。