[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 200910006383.2 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101510526A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 小西纲一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括的步骤为：在绝缘夹层上方形成下抗蚀剂膜；在下抗蚀剂膜中形成在平面图中具有圆形几何形状的第一开口以及分别布置在所述第一开口的四侧的第二到第五开口；以及利用下抗蚀剂膜作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，其中在所述将被刻蚀的膜的刻蚀步骤中，在处于第一开口和第二到第五开口中的每一个之间的下抗蚀剂膜的区域中形成硬化层，并且利用所述硬化层作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，以便在所述将被刻蚀的膜中，在与下抗蚀剂膜的第一开口对应的位置处形成在平面图中具有矩形几何形状的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，包括：在形成在衬底上方的将被刻蚀的膜上方形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜中，形成在平面图中具有圆形几何形状的第一开口以及分别布置在所述第一开口的四侧上的第二到第五开口；以及利用所述抗蚀剂膜作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，其中在所述刻蚀所述将被刻蚀的膜中，在处于所述第一开口和所述第二到第五开口中的每一个开口之间的所述抗蚀剂膜的区域中形成硬化层，并且利用所述硬化层作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，以便在所述将被刻蚀的膜中，在与所述抗蚀剂膜的所述第一开口对应的位置处，形成在平面图中具有矩形几何形状的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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