[发明专利]离子注入方法及设备有效
申请号: | 200910004114.2 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101510506A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 日野雅泰 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被设置为1的基板的扫描次数的初始值,计算基板的扫描速度。如果扫描速度处于范围之内,则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度。如果扫描速度高于范围的上限,则中断计算处理。如果扫描速度低于范围的下限,则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数。通过使用校正的扫描次数等等计算校正的扫描速度。重复以上步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种离子注入方法,其利用带状离子束和在与离子束的主面交叉的方向上对基板的机械扫描将离子注入基板,其中在所述离子束中,在执行或者不执行X方向的电扫描的情况下,X方向上的尺寸都大于与X方向正交的Y方向上的尺寸,所述方法包括:扫描速度计算步骤:将基板的扫描次数的初始值设置为1,并且通过利用离子束的束电流、到基板的剂量以及基板的扫描次数的初始值计算基板的扫描速度;扫描速度确定步骤:确定基板的扫描速度是否处于预定的容许的扫描速度范围之内;如果扫描速度处于容许的扫描速度范围之内,则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度;如果扫描速度高于容许的扫描速度范围的上限,则中断获得实际的扫描次数和实际的扫描速度的处理;并且,如果扫描速度低于容许的扫描速度范围的下限,则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数;校正的扫描速度计算步骤:当计算校正的扫描次数时,通过利用校正的扫描次数、束电流以及剂量计算校正的扫描速度;重复步骤:当计算校正的扫描速度时,对校正的扫描速度执行所述扫描速度确定步骤的处理,并且重复所述扫描速度确定步骤和所述校正的扫描速度计算步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内;和离子注入步骤:根据实际的扫描次数和实际的扫描速度将离子注入基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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