[发明专利]二次电池保护用半导体装置,电池组件及电子设备有效

专利信息
申请号: 200910002969.1 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101499648A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 后藤智幸 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 杨 梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及二次电池保护用半导体装置,使用其的电池组件及电子设备。在二次电池保护用半导体装置中,设有低电压充电禁止电路,二次电池的电压下降到所设定电压以下场合,使得充电控制用晶体管截止,禁止充电。低电压充电禁止电路设有:第一倒相电路(21),充电动作模式时,输入高电平,负电源端子与二次电池的正电源端子连接;第二倒相电路(22),第一倒相电路的输出输入该第二倒相电路,负电源端子与充电器的正电源端子连接。能通过熔断器(F1,F2)的微调,变更第一倒相电路(21)的输入阈值电压。提供能精细地设定低电压检测电平、也能进一步降低检测电平、能与多种检测电平对应的二次电池保护用半导体装置。
搜索关键词: 二次 电池 保护 半导体 装置 组件 电子设备
【主权项】:
1. 一种二次电池保护用半导体装置,检测二次电池过充电、过放电、充电过流、放电过流、短路电流、过热状态中任一种,在所述二次电池的负电源端子和负载一端或充电器的负电源端子之间,串联连接放电控制用晶体管和充电控制用晶体管,控制所述放电控制用晶体管和充电控制用晶体管导通/截止,保护所述二次电池,其特征在于:所述二次电池保护用半导体装置设有低电压充电禁止电路,二次电池的电压下降到所设定电压以下场合,使得所述充电控制用晶体管截止,禁止充电;能通过微调电路变更该低电压充电禁止电路检测到的所述所设定的电压。
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