[发明专利]具有电介质终止的超结半导体器件及制造该器件的方法有效
| 申请号： | 200910002920.6 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101510557A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 程序 | 申请（专利权）人： | 艾斯莫斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/76;H01L29/861;H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电介质终止的超结半导体器件及制造该器件的方法。该超结半导体器件提供具有从半导体衬底的第一主表面朝向半导体衬底的与第一主表面相反的第二主表面延伸的至少一个第一导电类型的柱以及至少一个第二导电类型的柱。至少一个第二导电类型的柱具有紧邻至少一个第一导电类型的柱的第一侧壁表面以及与第一侧壁表面相反的第二侧壁表面。终止结构紧邻至少一个第二导电类型的柱的第二侧壁表面。该终止结构包括有效厚度的电介质的层并且耗费第一主表面的表面面积的约0％。还提供用于制造超结半器件及用于防止表面击穿的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 终止 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种超结半导体器件，包括：(a)至少一个第一导电类型的柱，所述至少一个第一导电类型的柱从半导体衬底的第一主表面朝向半导体衬底的第二主表面延伸，所述第二主表面与所述第一主表面相反；(b)至少一个第二导电类型的柱，所述至少一个第二导电类型的柱从所述第一主表面朝向所述第二主表面延伸，所述至少一个第二导电类型的柱具有紧邻所述至少一个第一导电类型的柱的第一侧壁表面和与所述第一侧壁表面相反的第二侧壁表面；以及(c)终止结构，所述终止结构紧邻所述至少一个第二导电类型的柱的第二侧壁表面，所述终止结构包括有效厚度的电介质层，并且耗费所述第一主表面的表面面积的约0％。
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