[发明专利]具有高反射欧姆电极的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200880128212.0 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102119449A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 汤英文;王立;江风益 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件，该器件包括在导电衬底上的多层半导体结构。所述多层半导体结构包括位于所述导电衬底上的第一掺杂半导体层，位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，和/或位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的MQW有源层。该器件还包括在所述第一掺杂半导体层和所述导电衬底之间的反射欧姆接触层，所述反射欧姆接触层包括Ag和下列材料中的一种Ru、Rh、Pd、Au、Os、Ir、和Pt；加上Zn、Mg、Be、和Cd中的至少一种；以及下列材料中的若干种：W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr。该器件进一步包括在所述反射欧姆接触金属层和所述导电衬底之间的邦定层，与所述导电衬底连接的第一电极，以及与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 欧姆 电极 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，该器件包括在导电衬底上的多层半导体结构，所述多层半导体结构包括位于所述导电衬底上的第一掺杂半导体层，位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，和/或位于所述第一和第二掺杂半导体层的多量子阱(MQW)有源层，位于所述第一掺杂半导体层和导电衬底之间的反射欧姆接触金属层，其中所述反射接触金属层包括：Ag和下列料材中的至少一种：Pt、Ni、Ru、Rh、Pd、Au、Os和Ir；Zn、Mg、Cd、和Be中的至少一种；下列材料中的若干种：W、Cu、Fe、Ti、Ta、和Cr；在所述反射欧姆接触金属层和所述导电衬底之间的邦定层；与所述导电衬底连接的第一电极；以及在所述第二掺杂半导体层上的第二电极。
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