[发明专利]用于制备光学导波器的方法无效

专利信息
申请号: 200880124424.1 申请日: 2008-11-21
公开(公告)号: CN101910899A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 张俊颖;特里·L·史密斯;巴里·J·科赫;易亚沙 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: G02B6/132 分类号: G02B6/132
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张爽;樊卫民
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种制备导波器的方法,所述方法包括以下步骤:(a)提供导波器结构,所述导波器结构包括基底(22)、在所述基底上的下包层(20)和芯层(24),所述芯层(24)包含在所述下包层上的氮化硅、无定形硅或无定形硅-锗合金;(b)将所述芯层图案化;以及(c)退火(28)所述导波器结构。
搜索关键词: 用于 制备 光学 导波 方法
【主权项】:
一种制备导波器的方法,该方法包括以下步骤:(a)提供导波器结构,所述导波器结构包括基底、在所述基底上的下包层和在所述下包层上的芯层,所述芯层包含氮化硅、无定形硅或无定形硅 锗合金;(b)将所述芯层图案化;以及(c)将所述导波器结构退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880124424.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 平面光波导芯片的制作方法-201910420305.0
  • 吴凡;凌九红;赵明璐 - 武汉光迅科技股份有限公司
  • 2019-05-20 - 2019-09-27 - G02B6/132
  • 本发明提供了一种平面光波导芯片的制作方法,包括以下步骤:在衬底层上形成第一包覆层;在第一包覆层上形成至少一层芯层,形成一层芯层的步骤包括:在第一包覆层上形成平面光波导光路;经多次沉积形成包覆平面光波导光路的第三包覆层,每次沉积形成一层第一沉积层,每层第一沉积层形成后均采用热氧化工艺进行处理;在最后形成的芯层上制作第二包覆层,完成平面光波导芯片的制作。上述方法制作第三包覆层时采用多层沉积包覆方法,每次沉积形成第一沉积层后,采用热氧化工艺对其进行处理,扩大了硼磷硅玻璃工艺中硼烷和磷烷的掺杂浓度范围,提高了芯片成品率;热氧化工艺使相邻第一沉积层之间产生缓冲作用,使包覆层在高温条件下更加稳定。
  • 用于阵列波导光栅晶圆生产的上包层生长工艺-201710761724.1
  • 黄惠良;岳骁 - 上海鸿辉光通科技股份有限公司
  • 2017-08-30 - 2019-03-29 - G02B6/132
  • 本发明公开了一种用于阵列波导光栅晶圆生产的上包层生长工艺,利用火焰水解沉积设备,采用分步沉积法制作晶圆的上包层;包括以下步骤:a.首先对阵列波导光栅上包层进行一次沉积,采用12个循环覆盖沉积粉末,沉积厚度为8‑10个um;b.然后直接放入退火炉中进行退火,提高退火的升温速度;c.之后,把晶圆从退火炉中取出,对阵列波导光栅上包层再次进行沉积,沉积厚度为8‑10个um;d.将经过两次沉积的晶圆再次放入退火炉中进行退火,最终得到16‑20个um的上包层。上包层沟道填充性好,融化充分,不易发生分解或融化不均的情况。同时,还能达到标准,得到合适的折射率并将TE/TM差值降低到最小。
  • 一种制造平面光波导器件的方法-201610279110.5
  • 陈波;郑煜;彭延斌;余朝晃 - 湖南新中合光电科技股份有限公司
  • 2016-04-28 - 2019-03-22 - G02B6/132
  • 本发明提供了一种制造平面光波导器件的方法。该制造平面光波导器件的方法包括:在晶圆衬底上沉积光波导芯层;退火硬化,使得所述芯层致密均匀;采用物理气相沉积法形成金属掩膜层;涂光刻胶,并进行曝光显影;去光刻胶,反应离子刻蚀金属掩膜;感应耦合刻蚀芯层;采用火焰水解沉积光波导上包层;退火硬化,使得上包层致密均匀;其中,所述晶圆衬底的氢氧根离子小于200PPM,表面残余应力小于1MPa。本发明提供的制造平面光波导器件的方法,无需制做下包层,直接在符合要求的晶圆衬底上沉积光波导芯层,减少了制造步骤及工序环节。
  • 一种平面波导器件的生产工艺-201811515362.9
  • 袁晓君;徐彦平;廖鹏;耿凯鸽 - 科新网通科技有限公司
  • 2018-12-12 - 2019-02-12 - G02B6/132
  • 本发明公开了一种平面波导器件的生产工艺,包括以下步骤:以硅片为基体,在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜;然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜,再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜;进行退火处理;在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜;然后进行退火;在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层;在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜,再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜,然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜,再退火,即可。本发明的有益效果为:本发明所述生产工艺,以氮氧化硅为材料制备出一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件。
  • 一种平面光波导晶圆生产工艺方法-201810028741.9
  • 汪沈炎;薄崇飞;黄平;诸晓燕;陈冬芳;林尚亚 - 浙江富春江光电科技有限公司
  • 2018-01-12 - 2018-07-20 - G02B6/132
  • 本发明涉及一种平面光波导晶圆生产工艺方法,依次包括如下步骤:在基板的表面上沉积掩膜层;在掩膜层的表面涂覆光刻胶,使光刻胶形成层状结构;对光刻胶进行光刻,使光刻胶形成目标图形;对掩膜层失去光刻胶保护的部分进行刻蚀,使掩膜层被刻蚀的位置形成槽道;完全去除光刻胶;对基板与槽道接触的位置进行刻蚀,使得槽道深入至基板中;去除剩余的掩膜层;对基板的表面沉积芯层,使得芯层填入槽道内;对芯层的表面进行研磨;对芯层的表面沉积上包层。本发明使大尺寸的光波导晶圆翘曲在一个可控范围内,保证整个晶圆内光波导的尺寸,从而使八寸及以上光波导晶圆的良率大大提高,同时适用于小尺寸晶圆生产的平面光波导晶圆生产工艺方法。
  • 一种集成型一分16路光分路器及其制备方法-201410058947.8
  • 彭智祥;刘勇;胡灿栋;陆昇 - 杭州天野通信设备有限公司
  • 2014-02-21 - 2017-01-04 - G02B6/132
  • 本发明公开了一种集成型一分16路光分路器及其制备方法,该光分路器让信号光在耦合波导内发生多模干涉耦合,使信号光能迅速沿着其传输方向的横切面方向均匀的分散开,从而增大信号光输出接口的面积,进而实现信号光在分光区长度较短的尺寸内实现一路对多路信号光分光。包括衬底层,在衬底层的上表面制作有下包层;在下包层的上表面上,先制作一层夹包层,然后在这层夹包层上设矩形凹槽,接着在这个矩形凹槽内设置矩形干涉波导,一共设置共十一层矩形干涉波导,并在最后一层矩形干涉波导上设置上包层,从而让这十一层矩形干涉波导形成耦合波导,让信号光在耦合波导内进行干涉耦合,进而实现多路分光。发明主要用在光通信分光技术中。
  • 具有利用原子层沉积形成的集成计算元件的流体分析系统-201380070609.X
  • 迈克尔·T·佩尔蒂埃;大卫·L·珀金斯 - 哈利伯顿能源服务公司
  • 2013-02-11 - 2015-10-14 - G02B6/132
  • 具有利用原子层沉积(ALD)形成的集成计算元件(ICE)或其它光路组件的流体分析系统使得能提高公差和设计灵活性。在一些公开实施方案中,流体分析系统包括光源和ICE。所述流体分析系统还包括将光信号转换为电信号的检测器。所述ICE包括多个光学层,其中所述多个光学层中的至少一个利用ALD形成。相关的方法包括选择具有多个光学层的ICE设计。所述方法还包括利用ALD形成所述ICE的所述多个光学层中的至少一个以使得能预测物质的化学或物理性质。相关的测井柱包括测井工具区段和与所述测井工具区段相关联的流体分析工具。
  • 一种垂直结构光分路器-201420074915.2
  • 彭智祥;刘勇;胡灿栋;张晓川;陆昇 - 杭州天野通信设备有限公司
  • 2014-02-21 - 2014-08-06 - G02B6/132
  • 本实用新型公开了一种垂直结构光分路器,该光分路器能缩短信号光的分光区长度,减小平面波导型光分路器在平面方向所占面积。包括衬底层,在衬底层的上表面制作有下包层;在下包层的上表面制作有一号矩形干涉波导,在一号矩形干涉波导的上表面制作有二号矩形干涉波导,在二号矩形干涉波导的上表面制作有三号矩形干涉波导,在三号矩形干涉波导的上表面制作有四号矩形干涉波导,在四号矩形干涉波导的上表面制作有五号矩形干涉波导,在五号矩形干涉波导的上表面制作有六号矩形干涉波导,在六号矩形干涉波导的上表面制作有七号矩形干涉波导,把一号至七号的矩形干涉波导用上包层密封包起来,并进行切割封装。
  • 异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法-201410125843.4
  • 刘瑞丹;王玥;吴远大;安俊明 - 中国科学院半导体研究所
  • 2014-03-31 - 2014-06-25 - G02B6/132
  • 一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法,包括:去掉S0I基片上的部分顶层硅;在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层;在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅;在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层;去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料,暴露出顶层硅;在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导,该脊型波导的一侧为第一平板波导区,另一侧为第二平板波导区;掺杂,形成P型掺杂区和N型掺杂区;在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层;淀积金属电极,完成制备。本发明可以实现基于同一S0I基平台的低损耗、低功耗、高响应速度的二氧化硅阵列波导光栅和S0I可调光衰减器阵列的异质集成芯片的制作。
  • 一种三波分复用/解复用器及其制备方法-201310191138.X
  • 陈冬芳;刘勇;陈一博;林尚亚;陆昇 - 杭州天野通信设备有限公司
  • 2013-05-21 - 2013-10-02 - G02B6/132
  • 本发明公开了一种三波分复用/解复用器及其制备方法,涉及光通信分光技术领域,意在提供一种三波分复用/解复用器及其制备方法,在制造时可根据自行设计的某一种光信号偏离度需要进行制造,制备工艺简单,集成度高。其步骤为:选择石英制作衬底层,选择折射率低的纯材料制作下包层,选择折射率高的掺杂材料制作芯层,将芯层加工成N形波导光路,选择与下包层折射率相同的掺杂材料制作上包层,在N形波导光路的中间两个端口处分别连接只能分别各自过滤出某种一种光信号的两块滤波片,在每块滤波片外连接有光纤阵列接头,在N形波导光路的两端的两个端口处也分别连接光纤阵列接头。本发明主用应用于光通信混合光信号分光技术中。
  • 一种基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法-201210225647.5
  • 宋齐望;孙麦可 - 无锡思力康光子科技有限公司
  • 2012-06-29 - 2012-10-17 - G02B6/132
  • 本发明公开了一种基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法,该制作方法包括:选取衬底,在所选取的衬底上,采用PECVD工艺,沉积并生长掺杂B、P二氧化硅层,作为下包层;在下包层上,生长波导芯层;在波导芯层上,预留具有预设形状的波导芯,并将除该预设形状的波导芯之外的部分腐蚀掉,留下具有预设形状的波导芯;在下包层和波导芯上,生长能够完全覆盖所述下包层和波导芯的高掺杂B、P二氧化硅层,作为上包层,即制得所需基于PLC技术的阵列波导光栅结构。本发明所述基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法,可以克服现有技术中生长周期长、成本高和产品性能差等缺陷,以实现生长周期短、成本低和产品性能好的优点。
  • 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法-201110155033.X
  • 姜婷;吴远大;王玥;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 - 中国科学院半导体研究所
  • 2011-06-10 - 2011-11-23 - G02B6/132
  • 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法,包括:取一SOI基片;在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶,利用光刻的技术在光刻胶上形成图形;利用感应耦合等离子体刻蚀工艺,在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构,去掉脊形光波导结构上的光刻胶;利用等离子体增强化学气相沉淀技术,在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层;再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层,利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形;利用湿法刻蚀工艺,在二氧化硅层上得到敏感窗口,形成基片;对基片进行划片、抛光处理,得到芯片单元;利用旋涂法,将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面;对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理;在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top