[发明专利]溅射装置以及成膜方法有效
| 申请号： | 200880116561.0 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101861409A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 堀江邦明;吉冈润一郎 | 申请（专利权）人： | 荏原优吉莱特株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 许玉顺;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在靶(11)和工件(W)之间配置有RF线圈(23)，通过向RF线圈(23)供给高频电力使从靶(11)向工件(W)飞溅的溅射粒子离子化为正离子。通过偏压电源(26)向工件(W)或者保持工件(W)的工件保持装置(8)施加负的偏压，从而吸附被离子化的溅射粒子。流过偏压电源(26)的电流被限制为不会立刻使附着的溅射粒子变为电中性。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，在真空槽内配置靶材料，通过在导入了溅射气体的气体环境下进行放电，从而使溅射粒子从靶飞溅出来，并使该飞溅出的溅射粒子堆积在工件上来进行成膜，该溅射装置的特征在于，具备：离子化机构，使从上述靶材料向上述工件飞溅的溅射粒子离子化；偏压电源，向具有导电性的偏压电极板施加负的偏压，该偏压电极板接近上述工件或者上述工件的背面侧而设置；以及电流限制机构，将流过上述偏压电源的电流限制为比与通过上述离子化机构在单位时间内产生的溅射粒子的正离子的电荷量相当的电流小。
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