[发明专利]溅射装置以及成膜方法

权利要求书

1.一种溅射装置，在真空槽内配置靶材料，通过在导入了溅射气体的气体环境下进行放电，从而使溅射粒子从靶飞溅出来，并使该飞溅出的溅射粒子堆积在工件上来进行成膜，该溅射装置的特征在于，具备：

离子化机构，使从上述靶材料向上述工件飞溅的溅射粒子离子化；

偏压电源，向具有导电性的偏压电极板施加负的偏压，该偏压电极板接近上述工件或者上述工件的背面侧而设置；以及

电流限制机构，将流过上述偏压电源的电流限制为比与通过上述离子化机构在单位时间内产生的溅射粒子的正离子的电荷量相当的电流小。

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

上述离子化机构包括：配置在上述靶材料和上述工件之间的高频线圈；以及向该高频线圈供给高频电力的高频电源。

3.根据权利要求2所述的溅射装置，其特征在于，

上述高频线圈配置在比上述靶材料更靠近上述工件的位置。

4.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

上述离子化机构是向上述靶材料和上述工件之间放出热电子的热电子产生器。

5.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

上述离子化机构是向上述靶材料和上述工件之间照射离子的离子枪。

6.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

上述偏压电极板是与上述工件的背面侧的面形状大致相似的形状，沿着上述工件的背面侧的面而配置。

7.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

上述偏压电极一体地设置在保持上述工件的保持构件上。

8.一种成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

将配置在真空槽内的靶材料作为电极来进行放电，使溅射粒子从靶向成膜对象的工件飞溅；

在靶材料和工件之间使飞溅出的溅射粒子被离子化为正离子；

在工件或者工件的背面的附近施加负的偏压，并将偏压电流限制为比与单位时间内被离子化的溅射粒子的电荷量相当的电流小；

通过该偏压将离子化的溅射粒子引到工件上，使溅射粒子堆积在工件表面从而形成薄膜。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

通过被供给高频电力的高频线圈来使溅射粒子离子化。

10.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

在比靶材料更靠近工件的位置使溅射粒子离子化。

11.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

从热电子产生器向靶材料和工件之间放出热电子，从而使溅射粒子离子化。

12.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

从离子枪向靶材料和工件之间照射离子，从而使溅射粒子离子化。

13.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

通过沿工件的背面的面形状的偏压电极来进行偏压。