[发明专利]非线性导体存储器无效
| 申请号： | 200880114065.1 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101842842A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | D·R·谢泼德 | 申请（专利权）人： | 康拓半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种高速、低功率存储器装置，包括非线性导体的阵列，其中存储、地址译码和输出检测都使用二极管或者其它非线性导体来实现。在多个实施例中，行和列电阻器可以在连接到未选择的行或者列时的高电阻和连接到选择的行和列的低电阻之间转换。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种电子存储器装置，包括：a、用于保存和利于信息获取的信息电路，包括：i、第一多个基本并行的导体，ii、和所述第一多个基本并行的导体重叠的第二多个基本并行的导体，iii、多个存储位置，每个存储位置布置接近所述第一和第二多个基本并行的导体的重叠点，iv、多个非线性传导装置，每个布置在存储位置；b、多个行转换开关，每个连接到所述第一多个基本并行的导体的其中之一；c、多个列转换开关，每个连接到所述第二多个基本并行的导体的其中之一；d、选择电路，用于选择所述多个行转换开关的其中一个和所述多个列转换开关的其中一个来读或者写所述信息电路。
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