[发明专利]非线性导体存储器

权利要求书

1.一种电子存储器装置，包括：

a、用于保存和利于信息获取的信息电路，包括：

i、第一多个基本并行的导体，

ii、和所述第一多个基本并行的导体重叠的第二多个基本并行的导体，

iii、多个存储位置，每个存储位置布置接近所述第一和第二多个基本并行的导体的重叠点，

iv、多个非线性传导装置，每个布置在存储位置；

b、多个行转换开关，每个连接到所述第一多个基本并行的导体的其中之一；

c、多个列转换开关，每个连接到所述第二多个基本并行的导体的其中之一；

d、选择电路，用于选择所述多个行转换开关的其中一个和所述多个列转换开关的其中一个来读或者写所述信息电路。

2.权利要求1的电子存储器装置，其中，用于选择其中一个行转换开关的选择电路包括用于相对于所选择的行转换开关的阻抗来增加未选择的行转换开关的阻抗的电路。

3.权利要求2的电子存储器装置，其中，用于相对于选择的行转换开关的阻抗增加未选择的行转换开关的阻抗的电路包括连接到所述多个行转换开关的非线性传导元件的第一阵列。

4.权利要求3的电子存储器装置，其中，所述第一阵列中的每个非线性传导元件包括二极管。

5.权利要求1的电子存储器装置，其中，用于选择其中一个列转换开关的选择电路包括用于相对于所选择的列转换开关的阻抗来增加未选择的列转换开关的阻抗的电路。

6.权利要求5的电子存储器装置，其中，用于相对于选择的列转换开关的阻抗增加未选择的列转换开关的阻抗的电路包括连接到所述多个列转换开关的非线性传导元件的第二阵列。

7.权利要求6的电子存储器装置，其中，所述第二阵列中的每个非线性传导元件包括二极管。

8.权利要求1的电子存储器装置，其中，所述多个行转换开关的每一个包括增强模式的NMOS晶体管。

9.权利要求8的电子存储器装置，其中，所述多个行转换开关的每一个基本由增强模式的NMOS晶体管组成。

10.权利要求1的电子存储器装置，其中，所述多个列转换开关的每一个包括增强模式的NMOS晶体管。

11.权利要求10的电子存储器装置，其中，所述多个列转换开关的每一个基本由增强模式的NMOS晶体管组成。

12.权利要求1的电子存储器装置，其中，所述多个非线性传导装置中的至少一个在所述第一和第二多个基本并行的导体的重叠点处连接到所述第一和第二多个基本并行的导体。

13.权利要求1的电子存储器装置，其中，所述多个非线性传导装置的每一个包括二极管、熔丝、反熔丝或者相变材料的至少一个。

14.权利要求1的电子存储器装置，还包括：

布置在所述多个行转换开关和所述第一多个基本并行的导体之间的行译码器电路，和

布置在所述多个列转换开关和所述第二多个基本并行的导体之间的列译码器电路。

15.权利要求14的电子存储器装置，其中，所述行译码器电路包括非线性传导元件的第三阵列。

16.权利要求15的电子存储器装置，其中，所述非线性传导元件的第三阵列的每个包括二极管。

17.权利要求14的电子存储器装置，其中，所述列译码器电路包括非线性传导元件的第四阵列。

18.权利要求17的电子存储器装置，其中，所述非线性传导元件的第四阵列的每个包括二极管。

19.权利要求1的电子存储器装置，其中，所述多个行转换开关的至少一个或者所述多个列转换开关的至少一个包括晶体管。

20.权利要求19的电子存储器装置，其中，所述晶体管从包括如下的组中选择：BJT、JFET、MOSFET、FET、TFT、SCR、UJT、触发三极管、真空管、门控场发射器和MEMS转换装置。