[发明专利]非线性导体存储器

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2007年10月29日提交的共同未决美国申请序列号11/926778的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用包括在本申请中。

技术领域

本发明涉及存储器装置的设计，并且更具体地，涉及使用非线性导体阵列来设计高性能、低功率存储器装置。

背景技术

基于二极管的信息处理装置已经存在超过半个世纪，并且在现有技术中已经披露多种形式的二极管译码装置。参考例如美国专利号2686299、2872664和4661927。这些现有技术的方法既有优点又有限制。

发明内容

根据本发明的实施例，低功率二极管存储器装置包括非线性导体(例如二极管)的阵列。存储、地址译码和输出检测都使用二极管或者其它非线性导体来实现，并且该装置可以在消耗低功率的情况下高速操作。通过译码和选择存储阵列中(或者在阵列的所分开的分区中)的单个行和列，可以将期望电压(或者电压范围)置于存储阵列(或者所分开的分区)中的存储位，用于读或者写。

从而，在第一方面中，本发明的特征在于一种电子存储器装置，包括用于保存和利于信息获取的信息电路、行和列转换开关和用于通过选择行和列转换开关来读或者写信息电路的选择电路。信息电路包括两个重叠的多个基本并行的导体，存储位置位于每个重叠点，并且非线性传导装置布置在至少一些存储位置处。

本发明的实施例可以包括一个或者多个下述特征。用于选择其中一个行转换开关的选择电路可以包括用于相对于所选择的行转换开关的阻抗来增加未选择的行转换开关的阻抗的电路。用于增加未选择的行转换开关的阻抗的电路可以包括连接到行转换开关的非线性传导元件的第一阵列。第一阵列中的每个非线性传导元件可包括二极管。用于选择其中一个列转换开关的选择电路可以包括用于相对于所选择的列转换开关的阻抗来增加未选择的列转换开关的阻抗的电路。用于增加未选择的列转换开关的阻抗的电路可以包括连接到列转换开关的非线性传导元件的第二阵列。第二阵列中的每个非线性传导元件可包括二极管。

在一个实施例中，每个行转换开关和/或列转换开关包括增强模式的NMOS晶体管或者基本由增强模式的NMOS晶体管组成。至少一个非线性传导装置可以在接近位于第一和第二多个基本并行导体的重叠点处连接到第一和第二多个基本并行的导体。每个非线性传导装置可以包括二极管、熔丝、反熔丝或者相变材料。

本发明的一些实施例包括行转换开关和第一多个基本并行的导体之间的行译码器电路，以及列转换开关和第二多个基本并行的导体之间的列译码器电路。行译码器电路可以包括非线性传导元件的第三阵列，每个非线性传导元件可以包括二极管。列译码器电路可以包括非线性传导元件的第四阵列，每个非线性传导元件可包括二极管。

在第二方面中，本发明的特征是包括提供电子存储器装置的方法，该电子存储器装置包括存储位置网格和用于该存储位置网格的选择电路。该网格包括与之关联的多个行和行转换开关以及与之关联的多个列和列转换开关。向行和列转换开关施加预充电电压。通过把除了所选择的行转换开关之外的所有行转换开关上的预充电电压放电来选择行转换开关，并且通过把除了所选择的列转换开关之外的所有列转换开关上的预充电电压放电来选择列转换开关。向行转换开关施加行电压，从而增加连接到所选择行转换开关的所选择行上的电压。向列转换开关施加列电压，从而降低连接到所选择列转换开关的所选择列上的电压。

在一个实施例中，施加行和列电压改变位于最接近所选行和所选列的交叉点的存储位置处的非线性传导装置的状态。在另一个实施例中，施加行和列电压输出位于最接近所选行和所选列的交叉点的存储位置处的非线性传导装置的状态。

附图说明

图1示意性示出现有技术的双重地址的整流器存储装置；

图2示意性示出根据本发明实施例的二极管译码存储装置；

图3示意性示出根据本发明实施例的二极管译码存储装置的时序图；

图4示意性示出根据本发明实施例的二极管译码存储装置的简化变形；以及

图5示意性示出根据本发明实施例的二极管译码存储装置的输出电路的简化变形。

具体实施方式