[发明专利]用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料有效
| 申请号： | 200880109095.3 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101809187A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | C·杨;L·M·欧文;D·H·莱维;P·J·考德里-科尔万;D·C·弗里曼 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵苏林;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 无机 材料 选择 区域 沉积 有机硅 | ||
【主权项】：
一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料包含有机硅氧烷聚合物，该聚合物可以任选地被交联；(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域；以及(d)通过原子层沉积，将无机薄膜沉积在基板上；其中，该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
