[发明专利]无掩模曝光方法有效
| 申请号: | 200880023953.2 | 申请日: | 2008-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN101790775A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
| 发明(设计)人: | 慎瑛勋;徐园镐;朴明周;李炯振;车相焕;李泰昊;李昌柱 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 公开了一种无掩模曝光方法,其中能够利用无掩模曝光部的第一图案和主基准单元的第二图案来执行更精确的光学对准,并且还可以减少经曝光图案中产生的模糊。 | ||
| 搜索关键词: | 无掩模 曝光 方法 | ||
【主权项】:
一种无掩模曝光方法,所述无掩模曝光方法包括以下步骤:制备无掩模曝光部,该无掩模曝光部包括:光源,其用于投射光;空间光调制器(SLM),其用于将从所述光源投射的光反射为具有第一图案的光;多阵列透镜(MAL),其排列有多个透镜以将从所述SLM反射的具有所述第一图案的光分成多个光,并对分出的光进行集光;以及投影透镜,其用于控制由所述MAL集光的光的分辨率并透射所得到的光;将来自所述无掩模曝光部的所述第一图案的光照射到主基准单元(MRU),所述MRU由透光材料形成并形成有不透射具有所述第一图案的光的第二图案;在MRU照相机处对透过所述MRU的光进行拍摄;利用由所述MRU照相机拍摄到的图像中表示的所述第一图案和所述第二图案来计算未对准误差;以及移动并对准所述MAL或所述SLM以校正所述未对准误差。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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