[发明专利]失配衬底上的单晶生长有效
| 申请号： | 200880023660.4 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101689484A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 奥拉夫·温尼克;拉尔斯·芒努斯·博里斯特伦;维贾亚拉格哈万·马达卡西拉 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将一种材料类型(如，III-V半导体)的单晶层形成到不同材料类型(如，硅)的衬底上的工艺。提供第一材料类型的衬底。将催化剂材料的至少一个不连续区域沉积到衬底上，所述不连续区域限定了衬底的晶种区域。将第二材料类型(如，III-V半导体)作为单晶纳米线在衬底与催化剂材料之间生长到衬底上，所述第二材料类型的纳米线从所述衬底开始向上延伸，其横向尺寸不超过晶种区域。在生长纳米线之后，改变生长条件以便使第二材料类型从单晶纳米线开始以平行于衬底表面的方向横向地外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 失配 衬底 生长 | ||
【主权项】：
1、一种将一种材料类型的单晶层形成在不同材料类型的衬底上的方法，包括步骤：(i)提供第一材料类型的衬底(5)；(ii)将催化剂材料(10)的至少一个不连续区域沉积到衬底上，所述不连续区域限定了衬底的晶种区域(11)；(iii)将第二材料类型的单晶纳米线(12)生长到衬底上催化剂材料的不连续区域处，所述第二材料类型的纳米线从衬底开始向上延伸，其横向尺寸实质上不超过晶种区域；以及(iv)改变生长条件，使得第二材料类型从所述单晶纳米线开始在与衬底表面平行的方向上横向地外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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