[发明专利]穿过衬底形成导电通孔的方法及由其产生的结构和组合件无效

专利信息
申请号: 200880018523.1 申请日: 2008-05-02
公开(公告)号: CN101681875A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 里克凯·C·莱克 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/48;H01L21/48
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 沈锦华
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供在衬底上及衬底中形成导电元件的方法,所述方法包含:在所述衬底的表面上方形成导电材料层,此后穿过所述衬底形成从所述衬底的相对的表面到所述导电材料层的多个通孔,在一些实施例中,在形成所述通孔之前,可在所述导电材料层的与所述衬底相对的侧上将临时载体固定到所述导电材料层。还揭示包含使用此类方法形成的工件的结构。
搜索关键词: 穿过 衬底 形成 导电 方法 产生 结构 组合
【主权项】:
1、一种用于在衬底上及衬底中形成导电元件的方法,所述方法包括:在衬底的第一主表面上方形成导电材料层;随后,穿过所述衬底形成从与所述第一主表面相对的第二主表面到所述导电材料层的多个通孔;形成所述多个通孔中的每一通孔以包括底表面,所述底表面包括所述导电材料层的一部分;及在所述多个通孔中的每一通孔内提供导电材料且在每一通孔内的所述导电材料与所述导电材料层之间建立电接触以形成延伸穿过所述衬底的多个导电通孔。
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