[发明专利]穿过衬底形成导电通孔的方法及由其产生的结构和组合件

权利要求书

1、一种用于在衬底上及衬底中形成导电元件的方法，所述方法包括：

在衬底的第一主表面上方形成导电材料层；

随后，穿过所述衬底形成从与所述第一主表面相对的第二主表面到所述导电材料 层的多个通孔；

形成所述多个通孔中的每一通孔以包括底表面，所述底表面包括所述导电材料层 的一部分；及

在所述多个通孔中的每一通孔内提供导电材料且在每一通孔内的所述导电材料 与所述导电材料层之间建立电接触以形成延伸穿过所述衬底的多个导电通孔。

2、如权利要求1所述的方法，其中形成导电材料层包括在半导体晶片的第一主 表面上方形成导电材料层。

3、如权利要求1所述的方法，其中形成导电材料层包括用所述导电材料层大致 覆盖所述衬底的所述第一主表面。

4、如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述第二主表面上方 形成另一导电材料层。

5、如权利要求4所述的方法，其进一步包括图案化所述另一导电材料层以形成 多个导电垫。

6、如权利要求5所述的方法，其中形成多个通孔进一步包括穿过所述多个导电 垫中的导电垫形成所述多个通孔中的每一通孔。

7、如权利要求1所述的方法，其进一步包括于在所述多个通孔中的每一通孔内 提供导电材料之前在所述多个通孔中的每一通孔内的至少一个侧壁上提供介电材料。

8、如权利要求7所述的方法，其中提供介电材料包括：

在所述衬底上方且在所述多个通孔中的每一通孔内的底表面及侧壁表面上沉积 一层所述介电材料；及

各向异性地蚀刻所述介电材料层以暴露所述多个通孔中的每一通孔内的所述底 表面。

9、如权利要求8所述的方法，其中沉积一层所述介电材料包括沉积脉冲沉积氧 化物材料。

10、如权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述多个通孔之前图案化所 述第一主表面上的所述导电材料层。

11、如权利要求10所述的方法，其中图案化所述导电材料层包括由所述导电材 料层形成多个导电垫及多个导电迹线中的至少一者。

12、如权利要求11所述的方法，其中形成多个通孔包括穿过所述衬底形成到达 所述多个导电垫中的导电垫的所述多个通孔中的每一通孔。

13、如权利要求12所述的方法，其进一步包括在所述多个导电垫中的每一导电 垫上且直接垂直于所述多个导电通孔中的导电通孔上方提供导电凸块。

14、如权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述多个通孔之后图案化所 述第一主表面上的所述导电材料层。

15、如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的邻近所述第二主表面 的侧上将临时载体粘附到所述衬底且于在所述衬底的所述第一主表面上方形成所述导 电材料层之前从所述衬底的所述第一主表面移除材料。

16、如权利要求15所述的方法，其进一步包括：

从所述衬底的邻近所述第二主表面的所述侧移除所述临时载体；及

将临时载体粘附到所述衬底的邻近所述第一主表面的侧。

17、如权利要求16所述的方法，其中形成多个通孔包括穿过所述衬底形成多个 通孔，同时将所述临时载体粘附到所述衬底的邻近所述第一主表面的所述侧。

18、一种用于穿过半导体晶片形成导电元件的方法，所述方法包括：

在半导体晶片的第一主表面上方形成导电材料层；

在所述导电材料层的与所述半导体晶片相对的侧上将临时载体附接到所述导电 材料层；

穿过所述半导体晶片形成从所述半导体晶片的第二主表面到所述导电材料层的 多个通孔；及

在所述多个通孔中的每一通孔内提供导电材料且在每一通孔内的所述导电材料 与所述导电材料层之间建立电接触以形成延伸穿过所述半导体晶片的多个导电通孔。