[发明专利]MEMS谐振器有效
| 申请号： | 200880017824.2 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101682309A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 卡斯珀·范德阿奥斯特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS压阻式谐振器(8，78)，以比基本本征模(31)更高阶的高阶本征模(32)来驱动该MEMS压阻式谐振器(8，78)。例如，通过使感测电流(22)的流动路线位于高阶本征模(32)的最大位移(50)的点处，或位于高阶本征模(32)的位移的距离(x)的最大变化率的点处，来与高阶本征模(32)的特性相关地布置感测电流(22)的流动路线。可以通过制造具有槽(15)的MEMS压阻式谐振器(8，78)来布置感测电流(22)的流动路线，所述槽(15)在MEMS压阻式谐振器(8，78)的两个梁(11，12)之间形成，所述槽(15)的端部位于上述位置处。 | ||
| 搜索关键词： | mems 谐振器 | ||
【主权项】：
1、一种操作MEMS压阻式谐振器(8，78)的方法；该方法包括：以比基本本征模(31)更高阶的高阶本征模(32)来驱动MEMS压阻式谐振器(8，78)。
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