[发明专利]磁耦合元件以及磁耦合型隔离器有效
| 申请号： | 200880008117.7 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101632183A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 山元政昭;仮屋雄一;丰岛克久;小林伸圣;矢野健 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社;财团法人电气磁气材料研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F38/14;H04B3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁耦合元件以及磁耦合型隔离器。磁耦合元件(2)具有：磁场产生电路，其具有根据输入电流而产生磁场的励磁线圈(7a、7b)；具有两个输出(12a、12b)的检测桥式电路，其具有通过施加由磁场产生电路产生的磁场而使电阻值变化的至少一对磁阻效应元件(9a、9b)，所述两个输出生成对应于磁场产生电路产生的磁场强度的电压差，通过将所述磁耦合元件(2)的磁场产生电路以及检测桥式电路的几何形状分别线对称或点对称地形成，在高频也可得到高的S/N比。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 元件 以及 隔离器 | ||
【主权项】：
1.一种磁耦合元件，具有：磁场产生电路，其根据输入电流而产生磁场；检测桥式电路，其具有一对磁阻效应元件和两个输出，通过施加由所述磁场产生电路产生的磁场，所述一对磁阻效应元件使电阻值变化，所述两个输出生成对应于所述磁场产生电路产生的磁场的强度的电压差，所述磁场产生电路以及所述检测桥式电路的几何形状分别线对称或点对称地形成。
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