[发明专利]磁耦合元件以及磁耦合型隔离器

权利要求书

1.一种磁耦合元件，具有：

磁场产生电路，其根据输入电流而产生磁场；

检测桥式电路，其具有一对磁阻效应元件和两个输出，通过施加由所 述磁场产生电路产生的磁场，所述一对磁阻效应元件使电阻值变化，所述 两个输出生成对应于所述磁场产生电路产生的磁场的强度的电压差，

所述磁场产生电路以及所述检测桥式电路的几何形状分别线对称或点 对称地形成。

2.如权利要求1所述的磁耦合元件，其中，所述磁场产生电路具有电 气上并联连接的、几何形状线对称的两个励磁线圈。

3.如权利要求2所述的磁耦合元件，其中，所述两个励磁线圈的一端 与同一电极连接，并且相对于通过输入端子和输出端子的直线而线对称地 形成。

4.如权利要求1所述的磁耦合元件，其中，所述磁阻效应元件具有：

磁阻效应膜；

成对的导电连接臂，其由软磁性材料形成，从所述磁阻效应膜分别向 相互相反的方向延伸，并且配置在所述磁场产生电路产生的磁场中。

5.如权利要求4所述的磁耦合元件，其中，所述检测桥式电路具有一 对固定电阻，

所述磁阻效应元件和所述固定电阻在几何学上线对称地配置。

6.如权利要求5所述的磁耦合元件，其中，所述固定电阻具有：

一对磁阻效应膜；

成对的导电连接臂，其由非磁性材料形成，从所述磁阻效应膜分别向 相互相反的方向延伸，并且配置在所述磁场产生电路产生的磁场中。

7.如权利要求4所述的磁耦合元件，其中，所述检测桥式电路具有一 对固定电阻，该一对固定电阻在所述磁场产生电路的外部与所述导电连接 臂连接，

所述检测桥式电路相对于所述一对磁阻效应膜的中点而点对称地形 成。

8.如权利要求4所述的磁耦合元件，其中，

所述检测桥式电路具有一对固定电阻，该一对固定电阻在所述磁场产 生电路的外部与所述导电连接臂连接，

所述检测桥式电路相对于将所述一对磁阻效应膜连接的直线而线对称 地形成。

9.如权利要求4～8中任一项所述的磁耦合元件，其中，所述磁阻效应 膜由含有金属以及绝缘体的纳米颗粒材料形成。

10.如权利要求1所述的磁耦合元件，其中，所述磁场产生电路具有平 面地形成的励磁线圈，

所述检测桥式电路在所述励磁线圈的两面对称地配置。

11.如权利要求10所述的磁耦合元件，其中，所述磁阻效应元件具有：

磁阻效应膜；

成对的导电连接臂，其由软磁性材料形成，从所述磁阻效应膜分别向 相互相反的方向延伸，并且配置在所述磁场产生电路产生的磁场中。

12.如权利要求11所述的磁耦合元件，其中，所述检测桥式电路具有 一对固定电阻，

所述固定电阻具有：

一对磁阻效应膜；

成对的导电连接臂，其由非磁性材料形成，从所述磁阻效应膜分别向 相互相反的方向延伸，并且配置在所述磁场产生电路产生的磁场中，

所述磁阻效应元件和所述固定电阻在所述励磁线圈的两面对称地配 置。

13.如权利要求11所述的磁耦合元件，其中，所述检测桥式电路具有 一对固定电阻，该一对固定电阻在所述磁场产生电路的外部与所述导电连 接臂连接，

所述检测桥式电路在所述励磁线圈的两面对称地形成。

14.如权利要求11～13中任一项所述的磁耦合元件，其中，所述磁阻 效应膜由含有金属以及绝缘体的纳米颗粒材料形成。

15.一种磁耦合型隔离器，其具有权利要求1～14中任一项所述的磁耦 合元件、和将所述检测桥式电路的两个输出的差值输出的差动放大器。

16.如权利要求15所述的磁耦合型隔离器，其中，具有缓冲放大器， 其分别将所述检测桥式电路的两个输出放大。