[发明专利]离子注入装置

摘要

本发明的离子注入装置(10)包括：离子源(22)，产生离子束；离子束整形部(20)，将产生的离子束整形为带状离子束；射束输送部(30)，在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后，使带状离子束照射到处理基板(62)上；处理部(60)，将带状离子束照射到处理基板(62)上；透镜单元(40)，对带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的，其中，所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成，将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲，从而能够精度良好地调整电流密度分布。

主权项

1.一种离子注入装置，通过将射束宽度大于处理对象基板宽度的带状离子束照射在处理对象基板上以进行离子注入，其包括：射束整形部，其具有产生离子束的离子源，且将所产生的离子束整形为带状离子束；处理部，将上述带状离子束照射在处理对象基板上；射束输送部，包括：质量分离磁铁，用于使上述带状离子束的行进方向发生弯曲，从而使得在与上述带状离子束的上述射束宽度的方向相垂直的带状离子束的厚度方向上具有曲率；调整单元，用于对上述带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中上述带状离子束的厚度方向的电流密度的和值是以上述射束宽度方向的分布来表示的；上述射束输送部在使上述带状离子束的上述厚度方向的厚度变薄并使其收敛后，使上述带状离子束运动到上述处理部；其中，上述调整单元按照下述方式布置：在上述带状离子束的厚度与通过上述质量分离磁铁时的上述带状离子束的厚度相比变薄的、上述带状离子束的收敛位置附近区域对上述带状离子束的电流密度分布进行调整。