[发明专利]离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入装置，通过将射束宽度大于处理对象基板宽度的带状离 子束照射在处理对象基板上以进行离子注入，其包括：

射束整形部，其具有产生离子束的离子源，且将所产生的上述离子束整 形为带状离子束；

处理部，将上述带状离子束照射在上述处理对象基板上；

射束输送部，包括：质量分离磁铁，用于使上述带状离子束的行进方向 发生弯曲，从而使得在与上述带状离子束的上述射束宽度的方向相垂直的上述 带状离子束的厚度方向上具有曲率；调整单元，用于对上述带状离子束的电流 密度分布进行调整，在该电流密度分布中上述带状离子束的上述厚度方向的电 流密度的和值是以上述射束宽度方向的分布来表示的；上述射束输送部在使上 述带状离子束的上述厚度方向的厚度变薄并使其收敛后，使上述带状离子束 运动到上述处理部；其中，

上述调整单元按照在规定区域对上述带状离子束的电流密度分布进行调整 的方式布置，

上述规定区域为上述带状离子束的收敛位置，或者为与上述带状离子束的 收敛位置相比靠带状离子束的下游侧的、与通过上述质量分离磁铁时的上述带 状离子束的厚度相比变薄的区域，

上述质量分离磁铁使上述带状离子束在上述厚度方向上收敛，且在其收敛 位置处设置有使规定的离子粒子通过的分离狭缝，

上述调整单元设置在与上述分离狭缝的位置相重叠的位置或者设置在带状 离子束的下游侧的与上述分离狭缝的位置相邻接的位置上。

2.如权利要求1所述的离子注入装置，其中，上述调整单元由磁铁构成， 上述磁铁成对地布置在上述带状离子束的上述厚度方向的两侧，且沿着上述射 束宽度方向设置有多对，

上述分离狭缝由非磁性体构成。

3.如权利要求1所述的离子注入装置，其中，上述调整单元由电极构成， 上述电极成对地布置在上述带状离子束的上述厚度方向的两侧，且沿着上述射 束宽度方向设置有多对，上述调整单元与上述分离狭缝的位置相邻接，

上述调整单元在与其相邻接的上述分离狭缝一侧具有电场屏蔽体，用来屏 蔽上述电极所形成的电场。

4.如权利要求1所述的离子注入装置，其中，上述射束整形部包括多个 用于产生上述带状离子束的离子源，且上述多个离子源按照能够使产生自这些 多个离子源的上述带状离子束在上述离子束的厚度方向上收敛为一点的方式布 置。

5.如权利要求1所述的离子注入装置，其中，上述调整单元设置在与上 述分离狭缝的位置相重叠的位置上，且上述调整单元从上述带状离子束观察设 置在上述分离狭缝的外侧。