[发明专利]具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200880001261.8 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101569006A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | R·A·劳;R·穆拉利德哈 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种在半导体基板(12)上制造的半导体器件。第一绝缘层(18)被形成于半导体基板上以用作半导体基板(12)的第一区域(14)内的高压晶体管(38)的栅极电介质。在第一绝缘层(18)形成之后，第二绝缘层(24)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第二区域(22)内的非易失性存储器晶体管(40)的栅极电介质。在第二绝缘层(24)形成之后，第三绝缘层(36)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第三区域(34)内的逻辑晶体管(44)的栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高压 晶体管 非易失性存储器 逻辑 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基板上制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成第一绝缘层以用作半导体基板的第一区域中的高压晶体管的栅极电介质；在形成第一绝缘层的步骤之后，于半导体基板上形成第二绝缘层以用作在基板的第二区域中的非易失性存储器晶体管的栅极电介质；以及在形成第二绝缘层的步骤之后，于半导体基板上形成第三绝缘层以用作在基板的第三区域中的逻辑晶体管的栅极电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
