[发明专利]非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置有效
| 申请号： | 200880000421.7 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101542730A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 神泽好彦;片山幸治;藤井觉;村冈俊作;小佐野浩一;三谷觉;宫永良子;高木刚;岛川一彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 制造 方法 以及 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极；和存在于所述第一电极与所述第二电极之间、且电阻值根据施加在两电极间的极性不同的电信号可逆地变化的电阻变化层，其中所述电阻变化层在其厚度方向上具有：包含具有由TaOx表示的组成的第一缺氧型钽氧化物的第一区域，其中0＜x＜2.5；和包含具有由TaOy表示的组成的第二缺氧型钽氧化物的第二区域，其中x＜y＜2.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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