[实用新型]由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器

摘要

本实用新型涉及一种由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器。在低占空比作PWM模式工作时，续流损耗比导通损耗加开关损耗之和高出一个数量级，为了解决这个问题，传统的方法是：在非调制侧增加功率MSOFET数量，以减小每个续流二极管中续流电流平均值来降低续流损耗；或者在非调制侧并联导通压降小的肖特基二极管来降低续流损耗，这样既增加了成本，又对降低损耗的效果也不甚明显。本实用新型利用功率MOSFET在导通时允许双方电流通过的特点，在单边PWM模式时，其同桥臂另一侧的功率MOSFET做/PWM工作，使续流电流流过功率MOSFET。因而本实用新型既不增加成本，又降低了续流损耗、提高了逆变器效率。

主权项

1、由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器，其特征在在于：所述的逆变器由功率MOSFET构成；其连接关系为：Q1、Q2、Q3的漏极相连连接到电源的正极；Q4、Q5、Q6的源极相连连接到电源的地；由Q1源极和Q4的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Q2的源极和Q5的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Q3源极和Q6的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；R1、R2、R3、R4、R5、R6分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6的栅极电阻。