[实用新型]由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器有效
| 申请号： | 200820222684.X | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN201383764Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘大椿;胡岩长;段志华;杨操;刘洪 | 申请（专利权）人： | 西安尤奈特电机控制技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 罡 |
| 地址： | 710077陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 构成 双向 逆变器 | ||
【权利要求书】：
1、由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器，其特征在在于：所述的逆变器由功率MOSFET构成；其连接关系为：Q1、Q2、Q3的漏极相连连接到电源的正极；Q4、Q5、Q6的源极相连连接到电源的地；由Q1源极和Q4的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Q2的源极和Q5的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Q3源极和Q6的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；R1、R2、R3、R4、R5、R6分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6的栅极电阻。
2、根据权利要求1所述的由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器，其特征在在于：V1信号是由PWM和DT1信号相“与”以后合成的信号，V2信号是由/PWM和DT2信号相“与”以后合成的信号；V1信号加与R4或R5或R6的一端，V2信号加与R1或R2或R3的一端。
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