[实用新型]一种耗尽型pHEMT芯片的ESD保护电路

摘要

本实用新型公开了一种耗尽型pHEMT芯片的ESD保护电路，其在外接ESD保护电路与芯片焊盘之间增加了一个耗尽型pHEMT T₁、电阻R₁和电阻R₂₁，T₁的栅极G₁通过电阻R₁接地，漏极D₁接芯片焊盘N₁，源极S₁接芯片焊盘N₂后连接至外接ESD电路，漏极D₁和源极S₁之间通过电阻R₂₁相连，C₁为栅极G₁和漏极D₁之间的寄生电容；其中，耗尽型pHEMT的数目可以为一个或一个以上。该ESD保护电路可以减小外接ESD保护电路对耗尽型pHEMT芯片内部射频信号的影响，同时还可以简化具有多焊盘耗尽型pHEMT芯片的外围ESD保护电路，减小芯片焊盘数，降低封装尺寸和成本。

主权项

1、一种耗尽型pHEMT芯片的ESD保护电路，芯片焊盘与外接ESD电路电连接，其特征在于，芯片焊盘与外接ESD电路之间还包括有一个耗尽型pHEMT(T1)、电阻(R1)和电阻(R21)，(T1)的栅极(G1)通过电阻(R1)接地，漏极(D1)接芯片焊盘(N1)，源极(S1)接芯片焊盘(N2)后连接至外接ESD电路，漏极(D1)和源极(S1)之间通过电阻(R21)相连，(C1)为栅极(G1)和漏极(D1)之间的寄生电容。