[实用新型]半导体制冷雾室系统在审
| 申请号： | 200820126191.6 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN201237402Y | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | （请求不公开姓名） | 申请（专利权）人： | 徐杜鹃 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02;G01N21/31;G01N21/73;G01N27/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100027北京市东城区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型通过Peltier半导体制冷器件，将雾室降温，通过控温电路的设置，可以实现零下20摄氏度到零上20摄氏度的控温，冷凝的废液通过废液导管排出，冷凝后的样品气溶胶则导入分析仪器的加热激发源。产生汽雾的雾化器可以在制冷雾室内，也可以在制冷雾室外，汽雾经过加热后导入制冷雾室，以达到更佳的溶剂去除效果。本实用新型实现了在半导体制冷雾室冷凝溶剂的目的，整个系统体积小，温度范围宽，安装方便，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 系统 | ||
【主权项】：
1、一种用于火焰原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪或者等离子体质谱仪等分析仪器的半导体制冷雾室系统，其特征在于：由半导体制冷组件(2)将雾室(1)的汽雾进行制冷冷凝，将冷凝的溶剂通过排废液导管(4)排出，同时，经冷凝后的样品气溶胶经过导管(3)进入分析仪器的加热激发源。
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