[实用新型]阵列式LED封装结构无效
| 申请号： | 200820093684.4 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN201187741Y | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈小华 | 申请（专利权）人： | 东莞市彦升电子有限公司 |
| 主分类号： | F21V19/00 | 分类号： | F21V19/00;F21V29/00;H01L23/28;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林虹;孙皓 |
| 地址： | 523716广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种阵列式LED封装结构，要解决的技术问题是提高产品的可靠性和稳定性。本实用新型采用以下技术方案：一种阵列式LED封装结构，包括基板，基板上顺序设置的线路板和芯片，连接芯片的引脚，所述基板与线路板之间通过连接层连接，连接层为导热系数大于30W/M.K的焊料。本实用新型与现有技术相比，基板与线路板之间通过连接层连接，连接层为导热系数大于30W/M.K的焊料，其产品封装热阻小，导热能力更强，防止晶体与金属基板或者引线与金属基板之间出现分裂或者裂痕，有效提高了产品的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种阵列式LED封装结构，包括基板(1)，基板(1)上顺序设置的线路板(3)和芯片(4)，连接芯片(4)的引脚(7)，其特征在于：所述基板(1)与线路板(3)之间通过连接层(2)连接，连接层(2)为导热系数大于30W/M.K的焊料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市彦升电子有限公司，未经东莞市彦升电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200820093684.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阶梯PCB板的加工方法
- 下一篇：一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
