[实用新型]阵列式LED封装结构无效
| 申请号： | 200820093684.4 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN201187741Y | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈小华 | 申请（专利权）人： | 东莞市彦升电子有限公司 |
| 主分类号： | F21V19/00 | 分类号： | F21V19/00;F21V29/00;H01L23/28;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林虹;孙皓 |
| 地址： | 523716广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 led 封装 结构 | ||
1.一种阵列式LED封装结构，包括基板(1)，基板(1)上顺序设置的线路板(3)和芯片(4)，连接芯片(4)的引脚(7)，其特征在于：所述基板(1)与线路板(3)之间通过连接层(2)连接，连接层(2)为导热系数大于30W/M.K的焊料。
2.根据权利要求1所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述连接层(2)为金锡焊料。
3.根据权利要求1或2所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述基板(1)上开有孔(11)，引脚(7)设置在孔(11)内，在孔(11)内与引脚(7)之间设有绝缘层(6)，引脚(7)的上端连接芯片(4)。
4.根据权利要求3所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述绝缘层(6)为玻璃绝缘子；所述线路板(3)为陶瓷线路覆铜板。
5.根据权利要求4所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述线路板(3)与所述芯片(4)通过导热系数大于20W/M.K的固晶材料。
6.根据权利要求5所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述固晶材料采用导电银胶。
7.根据权利要求6所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述芯片(4)上设有封装层(5)。
8.根据权利要求7所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述封装层(5)为硅胶。
9.根据权利要求8所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述基板(1)上镀有反光膜镀膜层(12)。
10.根据权利要求9所述的阵列式LED封装结构，其特征在于：所述基板(1)中部为凸型或凹型结构，所述基板(1)采用紫铜。
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