[实用新型]阵列式LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的封装结构，特别是一种红外发光二极管的封装结构。

背景技术

随着红外发光二极管LED的出现，其工作效率越来越高，价格逐渐下降。红外LED具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，寿命长，光色纯，产品本身及其制作过程均无污染，抗冲击，耐振动，性能稳定，重量轻，体积小的一系列优点，而目前最新的阵列式红外芯片相对普通的红外LED具有亮度高、体积小、光线均、角度广、寿命长的优点，被广泛用于国防、民用安防夜视监控领域。普通红外LED由于沿用了传统的指示灯型LED制造工艺和封装结构，其封装热阻高，不能满足充分散热的要求，由于LED产生的热量不能被散走，随着LED晶体温度的升高，LED的发光强度会相应减少，LED光衰加速，从而影响LED的寿命。而阵列式红外芯片采用高集成工艺，将多颗LED晶体集成，这样封装提升LED总功率，但是随之而来的就是LED散热问题，目前市面上普遍采用铝基散热板或者铜基散热板作为LED散热板，由于铝基板或者铜基板在结构上面有一层环氧树脂类绝缘层，该绝缘层的导热系数很低，一般导热系数在0.8W/M.K～3W/M.K，这就无形当中增加了热阻，降低了铝基板或者铜基板的导热能力。同时由于监控应用的特殊性，多数时间白天红外LED关闭，夜间启动，在红外LED由关闭到启动这十几秒之内，LED芯片的温度由室温迅速上升到一百多度，或者由启动到关闭这十几秒之内，LED芯片的温度由一百多度迅速下降到室温，现有技术内的阵列式红外芯片采用金属铝基板或铜基板作为其热沉，由于金属的热膨胀系数与晶体硅的热膨胀系数相差很大，在LED关闭或者启动时，导致晶体与金属基板或者引线与金属基板之间出现分裂或者裂痕，降低了产品的可靠性。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种阵列式LED封装结构，要解决的技术问题是提高产品的可靠性和稳定性。

本实用新型采用以下技术方案：一种阵列式LED封装结构，包括基板，基板上顺序设置的线路板和芯片，连接芯片的引脚，所述基板与线路板之间通过连接层连接，连接层为导热系数大于30W/M.K的焊料。

本实用新型的连接层为金锡焊料。

本实用新型的基板上开有孔，引脚设置在孔内，在孔内与引脚之间设有绝缘层，引脚的上端连接芯片。

本实用新型的绝缘层为玻璃绝缘子；所述线路板为陶瓷线路覆铜板。

本实用新型的线路板与所述芯片通过导热系数大于20W/M.K的固晶材料。

本实用新型的固晶材料采用导电银胶。

本实用新型的芯片上设有封装层。

本实用新型的封装层为硅胶。

本实用新型的基板上镀有反光膜镀膜层。

本实用新型的基板中部为凸型或凹型结构，所述基板采用紫铜。

本实用新型与现有技术相比，基板与线路板之间通过连接层连接，连接层为导热系数大于30W/M.K的焊料，其产品封装热阻小，导热能力更强，利用热膨胀系数与硅晶体接近的陶瓷线路板作为热沉，防止晶体与金属基板或者引线与金属基板之间出现分裂或者裂痕，有效提高了产品的可靠性和稳定性，同时将陶瓷与铜整体作为支架，增加了产品的机械装配优点，在铜表面镀反光膜，提升了LED晶体的出光效率。

附图说明

图1是本实用新型实施例1的主视图。

图2是图1沿A-A方向的剖视图。

图3是本实用新型实施例2的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图1、图2所示，本实用新型的阵列式LED封装结构，具有基板1，基板1为导热金属紫铜基板，整个基板1平面为平板状，也可制成中部凹型或凸型，以利用光效，并易于成品装配。基板1上开有两个孔11，所述孔11内设有贯穿于孔11的引脚7，在两个孔11内与引脚7之间分别设有绝缘层6，绝缘层6为玻璃绝缘子，所述引脚7的上端连接线路板3，线路板3为陶瓷线路覆铜板，陶瓷线路板的导热系数高，热膨胀系数接近LED晶体，所述线路板3与基板1之间通过连接层2连接固定，连接层2为导热系数大于30W/M.K的焊料，如：金锡Sn20Au80，其导热系数为58W/M.K，这样减小整个封装结构的封装热阻。