[发明专利]具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810304728.8 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101364657A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/217 | 分类号： | H01P1/217;H01P11/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 610054四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜电路产品，特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大，漏电流大的缺点，公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法，可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是，具有复合电极结构的介电薄膜，包括基片、电极和介电薄膜，其特征在于，所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成，所述金属电极制备在所述基片上，所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上，所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。本发明还提供了具有复合电极结构的介电薄膜制备方法。本发明的介电薄膜，主要用于制造薄膜元器件等电路产品。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 电极 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
【权利要求1】具有复合电极结构的介电薄膜，包括基片、电极和介电薄膜，其特征在于，所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成，所述金属电极制备在所述基片上，所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上，所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。
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