[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810241197.2 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101770121A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中方法包括：步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和阻挡薄膜，通过第二次构图工艺形成半导体层和阻挡层的图形，该阻挡层用于阻止半导体层被刻蚀；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触薄膜、透明导电薄膜、源漏金属薄膜和钝化薄膜，通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极、TFT沟道、数据线、像素电极和钝化层的图形。本发明采用三次构图工艺，通过在半导体层和欧姆接触层之间夹设阻挡层，能够减小半导体层的厚度，减小TFT的关态电流，提高TFT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的半导体层与欧姆接触层之间设置有阻止半导体层被刻蚀的阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810241197.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
