[发明专利]用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及控制系统有效
| 申请号： | 200810231901.6 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101392405A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张红勇 | 申请（专利权）人： | 西安理工晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/08 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗 笛 |
| 地址： | 710077陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及该方法采用的的温度控制系统，由温补信号模块给出一个温补信号发送到晶体生长控制器，由晶体生长控制器对该温补信号进行数字滤波；再由温补信号处理电路进行二次滤波以及隔离处理；再将该处理后的温补信号与红外测温传感器测量的加热炉内的实际温度值反向串联得到叠加信号，将该叠加信号作为实际温度反馈送给温度控制器；温度控制器将叠加信号与温度目标设定值进行比较，温度控制器再根据差值的大小进行PID计算，并根据PID计算结果调整加热器的加热功率，使加热炉内的温度达到要求。本发明的方法简单可靠，控制精度高，采用的装置简洁，故障率低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 锗单晶 生长 过程 中的 高精度 温度 控制 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
1、一种用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法，其特征在于，该方法按照以下步骤实施：采用一温补信号模块(6)，由温补信号模块(6)给出一个温补信号发送到晶体生长控制器(1)，由晶体生长控制器(1)对该温补信号进行数字滤波，得到温补原始信号；将温补原始信号发送到温补信号处理电路(7)进行二次滤波以及隔离处理，得到处理后的温补信号；再将该处理后的温补信号与红外测温传感器(5)测量的加热炉(4)内的实际温度值反向串联进行叠加，得到叠加信号，将该叠加信号作为实际温度反馈送给温度控制器(2)；温度控制器(2)将叠加信号与温度目标设定值进行比较，得到温度差值，温度控制器(2)再根据该温度差值的大小进行PID计算，如果温度控制器(2)的温度目标设定值高于叠加信号，则温度控制器(2)根据PID计算结果加大加热器(3)的加热功率，使加热炉(4)内的温度升高；如果温度控制器(2)的温度目标设定值低于叠加信号，则温度控制器(2)根据PID计算结果减小加热器(3)的加热功率，使加热炉(4)内的温度降低。
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