[发明专利]一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置有效
| 申请号： | 200810230804.5 | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101428803A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;赵百通;高永超 | 申请（专利权）人： | 高文秀 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 田小伍 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法，在高纯氩气的保护氛中，以石墨坩埚为正极、设于石墨坩埚中间的竖向石墨电极为负极，在所述石墨坩埚内壁与石墨电极外壁上上下错开设置水平格栅，加热石墨坩埚中的高纯金属硅至1650-1800℃产生硅蒸气，使硅蒸气上行经过格栅后冷却收集得到高纯多晶硅。本发明与传统提纯工艺相比，不仅大幅缩短了提纯工艺流程，而且工艺稳定、效率高，降低了太阳能电池的原料成本，得到的高纯多晶硅纯度稳定、一致性好；提纯设备的制造成本低，生产过程中也无排污，环保效益好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 金属硅 提纯 制备 多晶 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法，其特征在于：在高纯氩气的保护氛中，以石墨坩埚为正极、设于石墨坩埚中间的竖向石墨电极为负极，在所述石墨坩埚内壁与石墨电极外壁上上下错开设置水平格栅，加热石墨坩埚中的高纯金属硅至1650-1800℃产生硅蒸气，使硅蒸气上行经过格栅后冷却收集得到高纯多晶硅。
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