[发明专利]增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200810227461.7 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101431028A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;黎明;付晓君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。本发明提供的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管制备方法，实现了阈值电压大于零伏的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 型背栅 氧化锌 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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