[发明专利]一种生长AlInN单晶外延膜的方法无效
| 申请号： | 200810225783.8 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101736398A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;朱建军;赵德刚;刘宗顺;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 alinn 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种生长AlInN单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。
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