[发明专利]沟槽晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810215628.8 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101383377A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张炳琸;尹汝祚 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种沟槽晶体管及其制造方法。该制造方法包括制备半导体衬底，在半导体衬底中形成沟槽，在沟槽的内壁上方形成栅极氧化层，通过在沟槽中嵌入多晶硅来形成具有第一电导率型的栅极，该栅极包括突出在半导体衬底的表面上方的突出部分，通过在突出部分中注入第二电导率型离子形成阻挡层，以及在半导体衬底的表面上方形成第二电导率型源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种装置，包括半导体衬底；沟槽，形成于所述半导体衬底内；栅极氧化层，形成于所述沟槽的内壁上方；栅极，嵌于所述沟槽中，所述栅极包括部分突出在所述半导体衬底的表面上方的突出部分，所述栅极在所述突出部分周围掺杂有第二电导率型掺杂物，而且所述栅极在除了所述突出部分以外的其他部分上掺杂有第一电导率型掺杂物；以及第二电导率型源极区，形成于所述沟槽的侧面处的所述半导体衬底的表面上方。
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