[发明专利]微透镜及其制造方法无效
| 申请号： | 200810213986.5 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101378032A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用籽晶层制造的用于图像传感器的微透镜以及不包括回流工艺的用于制造该微透镜的方法。制造微透镜的方法包括：在晶片上形成籽晶层图样，通过应用等离子来磨圆籽晶层图样的转角部分，以及然后在籽晶层图样上沉积氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透镜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在晶片上形成籽晶层图样；通过应用等离子来磨圆所述籽晶层图样的转角部分；以及然后在所述籽晶层图样上沉积氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
