[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其制造方法。半导体衬底可包括中心区和边缘区，中心区和边缘区分别具有栅极。第一杂质区和第二杂质区可设置在每个栅极的第一侧的半导体衬底中。浮置扩散区可设置在每个栅极的第二侧。第三杂质区可设置在边缘区中位于栅极的第一侧的半导体衬底中。本发明能够提高像素阵列的边缘区中光电荷的产生率。

主权项

1、一种图像传感器，包括：半导体衬底，包括中心区和边缘区；中心栅极，设置在所述中心区中；边缘栅极，设置在所述边缘区中；第一中心杂质区，设置在所述中心区中位于所述中心栅极的第一侧的所述半导体衬底中；第一边缘杂质区，设置在所述边缘区中位于所述边缘栅极的第一侧的所述半导体衬底中；第二中心杂质区，设置在所述中心区中位于所述第一中心杂质区上的所述半导体衬底中；第三边缘杂质区，设置在所述边缘区中位于所述边缘栅极的第一侧的所述半导体衬底中；第二边缘杂质区，设置在所述边缘区中位于所述第一边缘杂质区上的所述半导体衬底中；中心浮置扩散区，设置在所述中心区中位于所述中心栅极的第二侧的所述半导体衬底上，且所述中心栅极的第二侧与所述中心栅极的第一侧相对；以及边缘浮置扩散区，设置在所述边缘区中位于所述边缘栅极的第二侧的所述半导体衬底上，且所述边缘栅极的第二侧与所述边缘栅极的第一侧相对。