[发明专利]等离子体反应器室中的具有晶片边缘气体注射的阴极衬套有效
| 申请号： | 200810210599.6 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101383272A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丹·卡兹;大卫·帕拉加斯维勒;迈克尔·D·威尔沃斯;瓦伦顿·N·图杜罗;亚历山大·M·帕特森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;南 霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 反应器 中的 具有 晶片 边缘 气体 注射 阴极 衬套 | ||
【主权项】：
1. 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：室壳体，包括侧壁和室顶；所述室中的工件支架，具有面向所述室顶的工件支撑表面；包围所述工件支架的阴极衬套，具有顶表面和基部，并具有多条从所述基部延伸到所述顶表面的内部气流通道；位于所述基部的气体供给室，与每条所述内部气流通道耦合；覆盖在所述阴极衬套的所述顶表面上的处理环，具有与所述晶片支撑表面的周围边缘相邻的内侧边缘；所述处理环中的气体注射器，具有通过所述内侧边缘并面向所述工件支撑表面的气体注射路径，所述气体注射器与所述多条气流通道耦合；和与所述气体供给室耦合的气体供给系统。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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