[发明专利]减少等离子刻蚀工艺的残留电荷方法无效
| 申请号： | 200810207334.0 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101752210A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张冬平;左亚军;段晓斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，属于刻蚀技术领域。在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。该方法具有等离子刻蚀关断速度慢的特点，因此晶圆能随着慢慢关断的等离子体而转移残留电荷，达到减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的目的，进一步避免离子损伤导致的可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 等离子 刻蚀 工艺 残留 电荷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，其特征在于，在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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