[发明专利]阶梯式栅氧化层的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 200810203542.3 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740367A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;滕丽华;程勇;刘丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种阶梯式栅氧化层的制造方法及半导体器件，其中，阶梯式栅氧化层的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层；图形化掩膜层至暴露半导体衬底；在露出的半导体衬底上形成第一栅氧化层；去除掩膜层至暴露半导体衬底，在露出的半导体衬底上形成第二栅氧化层。与现有技术相比，本发明阶梯式栅氧化层的制造方法可避免半导体衬底内硅材质以及掺杂物浓度损耗以及场氧化层产生缺损的问题，并使得第一栅氧化层与第二栅氧化层可相对平滑地过渡，提高具有该阶梯式栅氧化层的半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 氧化 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种阶梯式栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层；图形化掩膜层至暴露半导体衬底；在所述露出的半导体衬底上形成第一栅氧化层；去除掩膜层至暴露半导体衬底，在所述露出的半导体衬底上形成第二栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
