[发明专利]一种方钴矿基热电块体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200810201440.8 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101397612A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;王玲 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;B22F3/16;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 200092*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种方钴矿基热电块体材料的制备方法，采用溶剂热合成结合真空熔融方法。所述方钴矿MSb3，M＝Co，Rh，Ir，包括方钴矿MSb3；M位或Sb位掺杂的MSb3；Ag，Cu，Zn，Cd，Pb，Sn，Ga或In填充的MSb3；掺杂并填充的MSb3及与第二相复合的MSb3。所述的制备方法，包括配料、溶剂热反应、洗涤、热处理和密封熔融步骤。一种与第二相复合的方钴矿基热电块体材料的制备方法，采用上述的方法，在其配料步骤中还补充加入质量百分比0.05％-5％的第二相纳米粉如ZrO2。该方法较现今常用的单质原料机械合金化后放电等离子烧结或热压烧结，或单质原料长时间高温固相反应后再等离子烧结或热压烧结得到的材料更致密，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方钴矿基 热电 块体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方钴矿基热电块体材料的制备方法，其特征在于：采用溶剂热合成结合真空熔融方法。
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