[发明专利]一种方钴矿基热电块体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810201440.8 申请日: 2008-10-21
公开(公告)号: CN101397612A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 蔡克峰;王玲 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;B22F3/16;C22C12/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 吴林松
地址: 200092*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 方钴矿基 热电 块体 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种方钴矿基热电块体材料的制备方法,其特征在于:采用溶剂热合成结合真空熔融方法;所述方钴矿MSb3,M=Co,Rh,Ir,包括Pb,Sn,Ga或In填充的MSb3;掺杂并填充的MSb3及与第二相复合的MSb3

包括配料、溶剂热反应、洗涤、热处理和密封熔融步骤;

所述的配料是依次将KOH或NaOH,Co,Rh或Ir、锑、填充原子、掺杂原子各自对应的无机盐,KBH4或NaBH4或LiBH4加入盛有无水乙醇或水或二甲基甲酰胺的聚四氟乙烯罐中,搅拌均匀,之后密闭放入高压反应釜中;

所述的溶剂热反应是将高压反应釜放入炉子中以5-10℃/分的速率升温至180-200℃恒温24-48小时,自然冷却至室温;

所述的洗涤是倒掉反应罐上层澄清溶剂,将黑色产物加去离子水搅拌,使多余的碱溶解在去离子水中,加稀酸调节pH值到7,然后离心沉淀,洗涤数次,最后用无水乙醇洗涤;

所述的热处理是将沉淀物取出,置于氧化铝舟中Ar气保护下300-400℃热处理2-10小时,得到了黑色粉体;

所述的密封熔融是将热处理得到的粉体置于内壁涂有氮化硼微粉的石墨坩埚中,再将石墨坩埚放入石英管中,抽真空充Ar气反复数次,再抽真空至真空度不低于6.7×10-3Pa后密封,将密封的石英管放入程序控温的高温炉中熔融然后缓慢冷却,最后得到致密的方钴矿基热电材料;

在配料步骤中还补充加入质量百分比0.05%-5%的第二相纳米粉。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述离心沉淀的转速为3000-6000转/分钟,离心时间为1-5分钟。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所加入的第二相纳米粉是ZrO2纳米粉。

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