[发明专利]红外探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810201307.2 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101445215A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;姜利军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01J5/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种红外探测器及其制造方法，在其硅衬底上依次沉积有金属反射层、介质层、牺牲层、敏感材料探测层和金属电极。金属反射层具有金属反射图案。介质层的高度与金属反射层的高度一致。本发明还提出上述红外探测器的制造方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成金属反射层并实现其图形化；在金属反射层上形成介质层，并实现其平坦化；刻蚀介质并停在金属层上表面，确定介质层的高度与金属反射层的高度一致；沉积牺牲层；以及制作微桥红外吸收结构。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种红外探测器，其特征是，包括：硅衬底；金属反射层，沉积在该硅衬底上，该金属反射层具有凹槽以构成金属反射图案；介质层，沉积于凹槽内，且该介质层的高度与该金属反射层的高度一致；牺牲层，沉积在该介质层和该金属反射层上，并光刻刻蚀形成通孔；敏感材料探测层，沉积在该牺牲层上；以及金属电极，沉积在该敏感材料探测层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810201307.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
